文献
J-GLOBAL ID：200902100651400860   整理番号：94A0625344

半導体ナノ構造におけるホットキャリアの緩和

Relaxation of hot carriers in semiconductor nanostructures.
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著者 (1件)：
BOCKELMANN U

BOCKELMANN U について

(Technische Univ. Muenchen, Garching, DEU)

Technische Univ. Muenchen, Garching, DEU について


資料名：
NATO ASI Series. E. Applied Sciences  (NATO ASI Series. E. Applied Sciences)

NATO ASI Series. E. Applied Sciences について


巻： 236  ページ： 415-426  発行年： 1993年 
JST資料番号： C0593B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
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2,1及び0次元系における電子と正孔の緩和を理論的に研究した...
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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ホットキャリア

ホットキャリア について

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分類 (2件)：
分類
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半導体と絶縁体の電気伝導一般 
(BM03041P)

半導体と絶縁体の電気伝導一般 について

,  ポーラロン,電子-フォノン相互作用 
(BM02130P)

ポーラロン,電子-フォノン相互作用 について

タイトルに関連する用語 (3件)：
タイトルに関連する用語
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半導体ナノ構造

半導体ナノ構造 について

, 
ホットキャリア

ホットキャリア について

, 
緩和

緩和 について


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