{{ $t("message.ADVERTISEMENT") }}
{{ $t("message.AD_EXPIRE_DATE") }}{{ad01_expire_date}}
{{ $t("message.ADVERTISEMENT") }}
{{ $t("message.AD_EXPIRE_DATE") }}{{ad02_expire_date}}
文献
J-GLOBAL ID:200902100668842158   整理番号:00A0185640

急熱化学蒸着で成長させた急熱酸化Si1-x-yGexCy合金膜の構造特性評価

Structural characterization of rapid thermal oxidized Si1-x-yGexCy alloy films grown by rapid thermal chemical vapor deposition.
著者 (9件):
資料名:
巻: 87  号:ページ: 192-197  発行年: 2000年01月01日
JST資料番号: C0266A  ISSN: 0021-8979  CODEN: JAPIAU  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
成長直後および急熱酸化させた標記エピタキシャル層の構造特性を...
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
,...
   続きはJDreamIII(有料)にて  {{ this.onShowAbsJLink("テキストリンク | 文献 | JA | PC", "JDreamIII(抄録)", "http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=00A0185640&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=C0266A") }}
分類 (2件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
半導体薄膜  ,  固体の機械的性質一般 
タイトルに関連する用語 (5件):
タイトルに関連する用語
J-GLOBALで独自に切り出した文献タイトルの用語をもとにしたキーワードです

前のページに戻る