急熱化学蒸着で成長させた急熱酸化Si1-x-yGexCy合金膜の構造特性評価

CHOI W K; CHEN J H; BERA L K; FENG W; PEY K L; MI J; RAMAM A; WEE A T S; LIU R

文献

J-GLOBAL ID：200902100668842158 整理番号：00A0185640

急熱化学蒸着で成長させた急熱酸化Si_1-x-yGe_xC_y合金膜の構造特性評価

Structural characterization of rapid thermal oxidized Si_1-x-yGe_xC_y alloy films grown by rapid thermal chemical vapor deposition.

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巻： 87 号： 1 ページ： 192-197 発行年： 2000年01月01日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

成長直後および急熱酸化させた標記エピタキシャル層の構造特性を...

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半導体薄膜 , 固体の機械的性質一般

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