ITOを裏面電極としたCu(In,Ga)Se<sub>2</sub>薄膜太陽電池の作製

文献

J-GLOBAL ID：200902100821371461 整理番号：02A0859774

ITOを裏面電極としたCu(In,Ga)Se₂薄膜太陽電池の作製

出版者サイト複写サービスで全文入手
高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=02A0859774&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=Y0055A") }}

著者 (2件)： ,
資料名：
巻： 63rd 号： 3 ページ： 1284 発行年： 2002年09月24日
JST資料番号： Y0055A 資料種別：会議録 (C)
記事区分：短報発行国：日本 (JPN) 言語：日本語 (JA)

,...

続きはJDreamIII（有料）にて {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=02A0859774&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=Y0055A") }}

太陽電池 , 半導体薄膜

, , , , ,

前のページに戻る