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J-GLOBAL ID:200902100840951452   整理番号:98A0846402

InGaNを使った青色発光ダイオードとレーザダイオードにおける構造不完全性の役割

The Roles of Structural Imperfections in InGaN-Based Blue Light-Emitting Diodes and Laser Diodes.
著者 (1件):
資料名:
巻: 281  号: 5379  ページ: 956-961  発行年: 1998年08月14日 
JST資料番号: E0078A  ISSN: 0036-8075  CODEN: SCIEA  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 文献レビュー  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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InGaN発光ダイオードでは能動層中のIn濃度のゆらぎによる...
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分類 (2件):
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半導体レーザ  ,  発光素子 
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