InGaNを使った青色発光ダイオードとレーザダイオードにおける構造不完全性の役割

NAKAMURA S

文献

J-GLOBAL ID：200902100840951452 整理番号：98A0846402

InGaNを使った青色発光ダイオードとレーザダイオードにおける構造不完全性の役割

The Roles of Structural Imperfections in InGaN-Based Blue Light-Emitting Diodes and Laser Diodes.

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資料名：
巻： 281 号： 5379 ページ： 956-961 発行年： 1998年08月14日
JST資料番号： E0078A ISSN： 0036-8075 CODEN： SCIEA 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：文献レビュー発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

InGaN発光ダイオードでは能動層中のIn濃度のゆらぎによる...

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半導体レーザ , 発光素子

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