引張歪Si/SiGe表面チャネル金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタにおける正孔移動度の増大と合金散乱制限移動度

LEITZ C W; CURRIE M T; LEE M L; CHENG Z-Y; ANTONIADIS D A; FITZGERALD E A

文献

J-GLOBAL ID：200902100994611298 整理番号：02A0822469

引張歪Si/SiGe表面チャネル金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタにおける正孔移動度の増大と合金散乱制限移動度

Hole mobility enhancements and alloy scattering-limited mobility in tensile strained Si/SiGe surface channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistors.

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資料名：
巻： 92 号： 7 ページ： 3745-3751 発行年： 2002年10月01日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

標記p-MOSFETにおける正孔移動度(μ<sub>h</s...

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金属-絶縁体-半導体構造

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