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J-GLOBAL ID：200902101310575707   整理番号：99A0923109

半導体材料・プロセスの物理と設計 半導体への不純物ドーピング

Doping in semiconductors.
著者 (1件)：
奥村次徳

奥村次徳 について

(東京都大)

東京都大 について


資料名：
応用物理  (JSAP International)

応用物理 について


巻： 68  号： 9  ページ： 1054-1059  発行年： 1999年09月10日 
JST資料番号： F0252A  ISSN： 0369-8009  CODEN： OYBSA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)
抄録/ポイント：
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半導体工学における最も本質的な概念であり,最も重要な技術であ...
シソーラス用語：
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*半導体材料

半導体材料 について

,...
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水素様イオン

水素様イオン について


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分類 (2件)：
分類
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半導体の格子欠陥 
(BK12040Q)

半導体の格子欠陥 について

,  不純物・欠陥の電子構造 
(BM02100I)

不純物・欠陥の電子構造 について

引用文献 (34件)：
  • PHILLIPS, J. C. Bands and Bonds in Semiconductors. 1973
  • HARRISON, W. A. Electronic Structure and Properties of Solids:The Physics of Chemical Bonds. 1980
  • KOHN, W. Solid State Phys. 1957, 5, 257
  • KOHN, W. Phys.Rev. 1955, 98, 915
  • BALDARESCHI, A. Phys.Rev. 1974, B9, 1525
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タイトルに関連する用語 (6件)：
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半導体材料

半導体材料 について

, 
プロセス

プロセス について

, 
物理

物理 について

, 
設計

設計 について

, 
不純物

不純物 について

, 
ドーピング

ドーピング について


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