文献

J-GLOBAL ID：200902101524511722   整理番号：99A0626554

GaAsSb/GaAs垂直共振器形面発光レーザの室温パルス動作

Room-temperature pulsed operation of GaAsSb/GaAs vertical-cavity surface-emitting lasers.

著者 (6件)： ANAN T (NEC Corp., Ibaraki, JPN) ,  YAMADA M (NEC Corp., Ibaraki, JPN) ,  TOKUTOME K (NEC Corp., Ibaraki, JPN) ,  SUGOU S (NEC Corp., Ibaraki, JPN) ,  NISHI K (NEC Corp., Ibaraki, JPN) ,  KAMEI A (NEC Corp., Ibaraki, JPN)
資料名： Electronics Letters  (Electronics Letters)
巻： 35  号： 11  ページ： 903-904  発行年： 1999年05月27日 
JST資料番号： A0887A  ISSN： 0013-5194  CODEN： ELLEAK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaAsSb量子井戸活性層をもつGaAs利用の長波長垂直共振...

シソーラス用語： *注入レーザ ,...
準シソーラス用語： *VCSEL

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=99A0626554&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=A0887A") }}

分類 (1件)： 半導体レーザ  (BD04070L)

タイトルに関連する用語 (5件)： GaAsSb ,  GaAs ,  垂直共振器形面発光レーザ ,  室温 ,  パルス