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J-GLOBAL ID：200902101622963836   整理番号：96A0299577

窒素ドープシリコンウエハの破壊強度

The fracture strength of nitrogen doped silicon wafers.
著者 (2件)：
VEDDE J

VEDDE J について

(Topsil Semiconductor Materials, Frederikssund, DNK)

Topsil Semiconductor Materials, Frederikssund, DNK について

, 
GRAVESEN P

GRAVESEN P について

(Danfoss, Nordborg, DNK)

Danfoss, Nordborg, DNK について


資料名：
Materials Science & Engineering. B. Solid-State Materials for Advanced Technology  (Materials Science & Engineering. B. Solid-State Materials for Advanced Technology)

Materials Science & Engineering. B. Solid-State Materials for Advanced Technology について


巻： 36  号： 1/3  ページ： 246-250  発行年： 1996年01月 
JST資料番号： T0553A  ISSN： 0921-5107  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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特別に設計した2重曲げ変形装置により,カット,ラップそして研...
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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ケイ素

ケイ素 について

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分類 (2件)：
分類
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固体デバイス材料 
(NC03020K)

固体デバイス材料 について

,  固体の機械的性質一般 
(BL01021C)

固体の機械的性質一般 について

タイトルに関連する用語 (3件)：
タイトルに関連する用語
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窒素ドープ

窒素ドープ について

, 
シリコンウエハ

シリコンウエハ について

, 
破壊強度

破壊強度 について


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