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J-GLOBAL ID：200902101806570403   整理番号：97A0301358

赤外レーザ照射によるSi同位体の濃縮

Enrichment of Silicon Isotopes by Infrared Laser Irradiation.

著者 (3件)： 鈴木裕 (金材技研) ,  荒木弘 (金材技研) ,  野田哲二 (金材技研)
資料名： 日本金属学会誌  (Journal of the Japan Institute of Metals and Materials)
巻： 61  号： 2  ページ： 145-152  発行年： 1997年02月 
JST資料番号： G0023A  ISSN： 0021-4876  CODEN： NIKGAV  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： Si同位体の濃縮に及ぼすレーザ波長,エネルギー,Si<sub...

シソーラス用語： レーザ同位体分離 ,...
準シソーラス用語： 圧力依存性 ,...

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分類 (1件)： 同位体分離  (CB10030R)

引用文献 (10件)：

• 野田哲二. 金属. 1993, 7, 32
• KLEMENTS, P. G. Int. J. Thermophysics. 1981, 2, 323
• 高橋秀武. 新金属工業. 1992, 347, 56
• 大山俊之. レーザー研究. 1982, 2, 27
• KAMIOKA, M. J. Phys. Chem. 1986, 90, 5727

タイトルに関連する用語 (4件)： 赤外レーザ ,  Si ,  同位体 ,  濃縮