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J-GLOBAL ID：200902101952029951   整理番号：97A1040628

貼り合わせSOIウエハーの今後の展開 作製と評価

Recent progress of bonded SOI wafers-Fabrication and evaluation.

著者 (4件)： 阿部孝夫 (信越半導体 磯部研) ,  中野正剛 (信越半導体 磯部研) ,  阿賀浩司 (信越半導体 磯部研) ,  三谷清 (信越半導体 磯部研)
資料名： 応用物理  (JSAP International)
巻： 66  号： 11  ページ： 1220-1224  発行年： 1997年11月 
JST資料番号： F0252A  ISSN： 0369-8009  CODEN： OYBSA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 0.1μmオーダーの極薄膜の貼り合わせSOIウエハーの難点で...

シソーラス用語： *SOI構造 ,...
準シソーラス用語： 水素イオン剥離法

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分類 (1件)： 固体デバイス材料  (NC03020K)

引用文献 (25件)：

• 1) H. M. Manasevit and W. I. Simpson: J. Appl. Phys. 35, 1349 (1964).
• 2)「三次元圏路素子の研究開発成果報告書」((財)新機能素子研究開発協会, 1991).
• 3) K. Izumi, M. Doken and H. Ariyoshi: Electron. Lett. 14, 593 (1978).
• 4) 中村哲郎:特許公報昭39-178679号,出願1961年7月26日.
• 5) 池田平八,松本弘子:特許出願公告昭 50-1155 (1975).

タイトルに関連する用語 (6件)： 貼り合わせ ,  SOI ,  ウエハー ,  展開 ,  作製 ,  評価