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J-GLOBAL ID：200902101997659352   整理番号：94A0716398

シリコンの急速熱処理による酸化膜成長速度のオゾンによる促進

Growth rate enhancement using ozone during rapid thermal oxidation of silicon.

著者 (3件)： KAZOR A (Univ. Coll. London, London, GBR) ,  GWILLIAM R (Univ. Surrey, Surrey, GBR) ,  BOYD I W (Univ. Coll. London, London, GBR)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 65  号： 4  ページ： 412-414  発行年： 1994年07月25日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 酸素とオゾンの混合物中の600~1200°CでのSiの急速熱酸...

シソーラス用語： ケイ素 ,...
準シソーラス用語： 急速熱酸化

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分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

タイトルに関連する用語 (6件)： シリコン ,  急速熱処理 ,  酸化膜 ,  成長速度 ,  オゾン ,  促進