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J-GLOBAL ID:200902101997659352   整理番号:94A0716398

シリコンの急速熱処理による酸化膜成長速度のオゾンによる促進

Growth rate enhancement using ozone during rapid thermal oxidation of silicon.
著者 (3件):
資料名:
巻: 65  号:ページ: 412-414  発行年: 1994年07月25日 
JST資料番号: H0613A  ISSN: 0003-6951  CODEN: APPLAB  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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酸素とオゾンの混合物中の600~1200°CでのSiの急速熱酸...
シソーラス用語:
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分類 (2件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
酸化物薄膜  ,  金属-絶縁体-半導体構造 

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