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J-GLOBAL ID：200902102143421162   整理番号：97A0730370

W/WN_x/Si系における超薄WSiN障壁層の形成機構

Formation mechanism of ultrathin WSiN barrier layer in a W/WN_x/Si system.

著者 (6件)： NAKAJIMA K (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  AKASAKA Y (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  MIYANO K (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  TAKAHASHI M (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  SUEHIRO S (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  SUGURO K (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 117/118  ページ： 312-316  発行年： 1997年06月 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 標記障壁層の形成機構を調べた。それによって,アニーリング時に...

シソーラス用語： 窒化物 ,...

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分類 (2件)： 金属薄膜  (BK14030T) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (2件)： Si ,  障壁層