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J-GLOBAL ID：200902102311457089   整理番号：02A0569589

イオン注入SiCのアニール処理に使用される黒鉛キャップとAlNキャップの比較

A Comparison of Graphite and AIN Caps Used for Annealing Ion-Implanted SiC.

著者 (9件)： JONES K A (U.S. Army Res. Lab., MD) ,  DERENGE M A (U.S. Army Res. Lab., MD) ,  SHAH P B (U.S. Army Res. Lab., MD) ,  ZHELEVA T S (U.S. Army Res. Lab., MD) ,  ERVIN M H (U.S. Army Res. Lab., MD) ,  THOMAS C (Howard Univ., Washington, D.C.) ,  SPENCER M G (Howard Univ., Washington, D.C.) ,  HOLLAND O W (Oak Ridge National Lab., TN) ,  VISPUTE R D (Univ. Maryland, MD)
資料名： Journal of Electronic Materials  (Journal of Electronic Materials)
巻： 31  号： 6  ページ： 568-575  発行年： 2002年06月 
JST資料番号： D0277B  ISSN： 0361-5235  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Alを注入したSiCウエハを,AlN,C又はAlNとCで被覆...

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,...
準シソーラス用語： 黒鉛

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分類 (1件)： 固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (6件)： イオン注入 ,  SiC ,  アニール処理 ,  黒鉛 ,  キャップ ,  AlN