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J-GLOBAL ID：200902102387907261   整理番号：99A0999272

n型とp型の窒化ガリウム膜への窒化チタンのコンタクト

Contacts of titanium nitride to n- and p-type gallium nitride films.

著者 (6件)： DIMITRIADIS C A (Univ. Thessaloniki, Thessaloniki, GRC) ,  KARAKOSTAS T (Univ. Thessaloniki, Thessaloniki, GRC) ,  LOGOTHETIDIS S (Univ. Thessaloniki, Thessaloniki, GRC) ,  KAMARINOS G (LPCS, ENSERG, Grenoble, FRA) ,  BRINI J (LPCS, ENSERG, Grenoble, FRA) ,  NOUET G (LERMAT, UPRESA-CNRS, Caen, FRA)
資料名： Solid-State Electronics  (Solid-State Electronics)
巻： 43  号： 10  ページ： 1969-1972  発行年： 1999年10月 
JST資料番号： H0225A  ISSN： 0038-1101  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 室温で反応性マグネトロンスパッタリングにより形成された,n型...

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,...
準シソーラス用語： 界面状態

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分類 (1件)： 固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (3件)： 窒化ガリウム ,  窒化チタン ,  コンタクト