文献
J-GLOBAL ID:200902102429818175
整理番号:96A0721346
Czochralski法で成長させたシリコンウエハ上の薄い熱酸化膜の厚さの縦光学振動モードによる決定
Determination of Thickness of Thin Thermal Oxide Layers on Czochralski-Grown Silicon Wafers from their Longitudinal Optical Vibrational Mode.
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著者 (2件):
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資料名:
巻:
35
号:
7
ページ:
3876-3877
発行年:
1996年07月
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)
抄録/ポイント:
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分類 (2件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
酸化物薄膜
, 無機化合物の赤外スペクトル及びRaman散乱,Ramanスペクトル
引用文献 (4件):
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HARBECKE, B. Appl.Phys. 1985, A38, 263
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GROSSE, P. Appl.Phys. 1986, A39, 257
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BERREMAN, D. W. Phys.Rev. 1963, 130, 2193
-
BAGHDADI, A. J.Electrochem.Soc. 1989, 136, 2015
タイトルに関連する用語 (6件):
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