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J-GLOBAL ID：200902102447749482   整理番号：94A0154146

エピタキシャルSi表面上のGaAs成長(初期過程における連続膜成長)

Continuous GaAs film growth on epitaxial Si surface in the initial stage of GaAs/Si hetero-epitaxy.

著者 (4件)： 太刀川正美 (NTT 光エレクトロニクス研) ,  森英史 (NTT 光エレクトロニクス研) ,  須郷満 (NTT 光エレクトロニクス研) ,  伊藤義夫 (NTT 光エレクトロニクス研)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
巻： 54th  号： 1  ページ： 223  発行年： 1993年09月 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

タイトルに関連する用語 (7件)： エピタキシャル ,  Si ,  GaAs ,  成長 ,  初期 ,  過程 ,  膜成長