分子ビームエピタクシーにより成長させたIII族窒化物膜のAuger研究

NOVIKOV S V; FOXON C T; CHENG T S; TANSLEY T L; ORTON J W; LACKLISON D E; JOHNSTON D; BABA-ALI N; EAVES L

文献

J-GLOBAL ID：200902102755349177 整理番号：95A0215059

分子ビームエピタクシーにより成長させたIII族窒化物膜のAuger研究

Auger investigation of group III nitride films grown by molecular beam epitaxy.

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資料名：
巻： 146 号： 1/4 ページ： 340-343 発行年： 1995年01月
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

RF活性化窒素プラズマ源を用いて分子ビームエピタクシー(MB...

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半導体薄膜

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