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文献
J-GLOBAL ID:200902102838641457   整理番号:98A0728671

低速イオン散乱分光法によるGa濃縮GaP(001)(2×4)表面構造の研究

Ga-rich GaP(001)(2×4) surface structure studied by low-energy ion scattering spectroscopy.
著者 (6件):
資料名:
巻: 402/404  号: 1/3  ページ: 623-627  発行年: 1998年05月15日
JST資料番号: C0129B  ISSN: 0039-6028  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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分類 (1件):
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半導体の表面構造 

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