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J-GLOBAL ID：200902102838641457   整理番号：98A0728671

低速イオン散乱分光法によるGa濃縮GaP(001)(2×4)表面構造の研究

Ga-rich GaP(001)(2×4) surface structure studied by low-energy ion scattering spectroscopy.

著者 (6件)： NAITOH M (Kyushu Inst. Technol., Kitakyushu, JPN) ,  KONISHI A (Kyushu Inst. Technol., Kitakyushu, JPN) ,  INENAGA H (Kyushu Inst. Technol., Kitakyushu, JPN) ,  NISHIGAKI S (Kyushu Inst. Technol., Kitakyushu, JPN) ,  OISHI N (Kumamoto National Coll. Technol., Kumamoto, JPN) ,  SHOJI F (Kyushu Kyoritsu Univ., Kitakyushu, JPN)
資料名： Surface Science  (Surface Science)
巻： 402/404  号： 1/3  ページ： 623-627  発行年： 1998年05月15日 
JST資料番号： C0129B  ISSN： 0039-6028  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Ne⁺イオン衝撃後,450°Cでアニーリ...

シソーラス用語： *リン化インジウム ,...

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分類 (1件)： 半導体の表面構造  (BK15030A)

タイトルに関連する用語 (6件)： 低速イオン散乱分光法 ,  Ga ,  濃縮 ,  GAP ,  表面構造 ,  研究