広い放物型GaAs/Al<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>As量子井戸中の電子ガスにおけるサブバンド構造のキャパシタンス検出

RIMBERG A J; YANG S; DEMPSEY J; BASKEY J H; WESTERVELT R M; SUNDARAM M; GOSSARD A C

文献

J-GLOBAL ID：200902102998505576 整理番号：93A0223242

広い放物型GaAs/Al_xGa_1-xAs量子井戸中の電子ガスにおけるサブバンド構造のキャパシタンス検出

Capacitive detection of subband structure in the electron gas in a wide parabolic GaAs/Al_xGa_1-xAs quantum well.

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資料名：
巻： 62 号： 4 ページ： 390-392 発行年： 1993年01月25日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

広い放物型井戸でのフロントゲートと電子ガスの間のキャパシタン...

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13-15族化合物を含む半導体-半導体接合

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広い放物型GaAs/AlxGa1-xAs量子井戸中の電子ガスにおけるサブバンド構造のキャパシタンス検出

広い放物型GaAs/Al_xGa_1-xAs量子井戸中の電子ガスにおけるサブバンド構造のキャパシタンス検出