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J-GLOBAL ID：200902103040281318   整理番号：98A0782728

Si(OC2H5)4とO3を用いる大気圧化学蒸着で析出させた酸化けい素膜の成長特性に及ぼす基板の影響

Effects of Substrate on the Growth Characteristics of Silicon Oxide Films Deposited by Atmospheric Pressure Chemical Vapor Deposition Using Si(OC2H5)4 and O3.
著者 (2件)：
YOSHIMARU M

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(Oki Electric Ind. Co., Ltd., Tokyo, JPN)

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, 
YOSHIE T

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(Oki Electric Ind. Co., Ltd., Tokyo, JPN)

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資料名：
Journal of the Electrochemical Society  (Journal of the Electrochemical Society)

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巻： 145  号： 8  ページ： 2847-2853  発行年： 1998年08月 
JST資料番号： C0285A  ISSN： 1945-7111  CODEN： JESOAN  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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テトラエチルオルトけい酸エステル(TEOS)とオゾンを用いる...
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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*蒸着膜

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準シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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TEOS

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分類 (1件)：
分類
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酸化物薄膜 
(BK14050P)

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物質索引 (1件)：
物質索引
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テトラエトキシシラン

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タイトルに関連する用語 (6件)：
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Si

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O3

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大気圧化学蒸着

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析出

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酸化けい素膜

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, 
成長特性

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