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J-GLOBAL ID：200902103320790544   整理番号：97A0079611

p型GaNのSchottky障壁と接触抵抗

Schottky barriers and contact resistances on p-type GaN.

著者 (9件)： MORI T (Toyota Central Res. and Dev. Lab., Inc., Aichi, JPN) ,  KOZAWA T (Toyota Central Res. and Dev. Lab., Inc., Aichi, JPN) ,  OHWAKI T (Toyota Central Res. and Dev. Lab., Inc., Aichi, JPN) ,  TAGA Y (Toyota Central Res. and Dev. Lab., Inc., Aichi, JPN) ,  NAGAI S (Toyoda Gosei Co., Ltd., Aichi, JPN) ,  YAMASAKI S (Toyoda Gosei Co., Ltd., Aichi, JPN) ,  ASAMI S (Toyoda Gosei Co., Ltd., Aichi, JPN) ,  SHIBATA N (Toyoda Gosei Co., Ltd., Aichi, JPN) ,  KOIKE M (Toyoda Gosei Co., Ltd., Aichi, JPN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 69  号： 23  ページ： 3537-3539  発行年： 1996年12月02日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： p型GaN上の四種類の異なる金属のSchottky障壁高さと...

シソーラス用語： 窒化ガリウム ,...

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分類 (1件)： 半導体-金属接触  (BM03084G)

タイトルに関連する用語 (3件)： GaN ,  Schottky障壁 ,  接触抵抗