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J-GLOBAL ID：200902103634926815   整理番号：93A0955745

Significance of a nucleation layer in inhibiting interfacial pitting in InAs films grown by two-step MOCVD on (100) InP substrates.

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著者 (3件)：
BALLAL A K

BALLAL A K について

(Univ. Maryland, MD)

Univ. Maryland, MD について

, 
SALAMANCA-RIBA L

SALAMANCA-RIBA L について

(Univ. Maryland, MD)

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, 
PARTIN D L

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(General Motors Research Lab., MI)

General Motors Research Lab., MI について


資料名：
Common Themes and Mechanisms of Epitaxial Growth  (Common Themes and Mechanisms of Epitaxial Growth)

Common Themes and Mechanisms of Epitaxial Growth について


ページ： 173-178  発行年： 1993年 
JST資料番号： K19930554  ISBN： 1-55899-208-1  資料種別： 会議録 (C)
発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)
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InAs

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STEP

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MOCVD

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InP

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