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J-GLOBAL ID：200902103697492696   整理番号：00A0437136

引張機械応力に起因したシリコン酸化速度の増大

Enhancement of silicon oxidation rate due to tensile mechanical stress.

著者 (2件)： YEN J-Y (National Taiwan Univ., Taipei, TWN) ,  HWU J-G (National Taiwan Univ., Taipei, TWN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 76  号： 14  ページ： 1834-1835  発行年： 2000年04月03日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 外部機械応力下にあるシリコンウエハの酸化を研究した。酸化物の...

シソーラス用語： *ケイ素 ,...

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分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (5件)： 引張 ,  応力 ,  起因 ,  シリコン ,  酸化速度