高温アニールしたCzochralskiシリコンウエハとエピタキシャルウエハの比較

文献

J-GLOBAL ID：200902103845802888 整理番号：96A0299534

Comparison of high temperature annealed Czochralski silicon wafers and epitaxial wafers.

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資料名：
巻： 36 号： 1/3 ページ： 50-54 発行年： 1996年01月
JST資料番号： T0553A ISSN： 0921-5107 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

Czochralski Siウエハをアルゴンあるいは水素中で...

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半導体の結晶成長 , 半導体の格子欠陥 , 固体デバイス材料

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