β-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>のn型伝導における酸素空孔欠陥状態の役割

HAJNAL Z; MIR<span style=text-decoration:overline> ́O</span> J; KISS G; R<span style=text-decoration:overline> ́E</span>TI F; DE<span style=text-decoration:overline> ́A</span>K P; HERNDON R C; KUPERBERG J M

文献

J-GLOBAL ID：200902104173664704 整理番号：99A0977134

β-Ga₂O₃のn型伝導における酸素空孔欠陥状態の役割

Role of oxygen vacancy defect states in the n-type conduction of β-Ga₂O₃.

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資料名：
巻： 86 号： 7 ページ： 3792-3796 発行年： 1999年10月01日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

標記酸化物は化学的にも熱的にも安定な酸素センサである。半経験...

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半導体結晶の電気伝導 , 不純物・欠陥の電子構造

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β-Ga2O3のn型伝導における酸素空孔欠陥状態の役割

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