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J-GLOBAL ID：200902104730450925   整理番号：95A0757097

タイプIIのGaSb/GaAs量子ドットにおける放射再結合

Radiative recombination in type-II GaSb/GaAs quantum dots.

著者 (9件)： HATAMI F (TU Berlin, Berlin, DEU) ,  LEDENTSOV N N (TU Berlin, Berlin, DEU) ,  GRUNDMANN M (TU Berlin, Berlin, DEU) ,  BOEHRER J (TU Berlin, Berlin, DEU) ,  RUVIMOV S S (Max-Planck-Inst. Mikrostrukturphysik, Halle, DEU) ,  WERNER P (Max-Planck-Inst. Mikrostrukturphysik, Halle, DEU) ,  RICHTER U (Naturwissenschaft und Medizin, Halle, DEU) ,  KOP’EV P S (A.F. Ioffe Physico-Technical Inst., St. Petersburg, SUN) ,  ALFEROV ZH I (A.F. Ioffe Physico-Technical Inst., St. Petersburg, SUN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 67  号： 5  ページ： 656-658  発行年： 1995年07月31日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： MBE成長によりGaAsマトリックス中に波形に配列した歪Ga...

シソーラス用語： アンチモン化ガリウム ,...

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分類 (2件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (5件)： タイプ ,  GaSb ,  GaAs ,  量子ドット ,  放射再結合