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J-GLOBAL ID：200902105126334778   整理番号：95A0907712

超高真空電子サイクロトロン共鳴化学蒸着によるシリコンの低温ホモエピタクシーへのプロセスパラメータの効果

Effects of process parameters on low-temperature silicon homoepitaxy by ultrahigh-vacuum electron-cyclotron-resonance chemical-vapor deposition.

著者 (5件)： TAE H-S (Seoul National Univ., Seoul, KOR) ,  HWANG S-H (Seoul National Univ., Seoul, KOR) ,  PARK S-J (Seoul National Univ., Seoul, KOR) ,  YOON E (Seoul National Univ., Seoul, KOR) ,  WHANG K-W (Seoul National Univ., Seoul, KOR)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 78  号： 6  ページ： 4112-4117  発行年： 1995年09月15日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 標記効果を反射高エネルギー電子回折と透過電子顕微鏡(TEM)...

シソーラス用語： プラズマCVD ,...

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分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： 高真空 ,  電子サイクロトロン共鳴 ,  化学蒸着 ,  シリコン ,  低温 ,  ホモエピタクシー ,  プロセスパラメータ