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J-GLOBAL ID：200902105267537524   整理番号：00A0330928

利得が高く高電圧で動作する2.45GHz36W CW Siリセスゲート型SIT

The 2.45GHz 36W CW Si Recessed Gate Type SIT with High Gain and High Voltage Operation.

著者 (3件)： NISHIZAWA J (Semiconductor Res. Foundation, Sendai, JPN) ,  MOTOYA K (Semiconductor Res. Foundation, Sendai, JPN) ,  ITOH A (Semiconductor Res. Foundation, Sendai, JPN)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 47  号： 2  ページ： 482-487  発行年： 2000年02月
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Siマイクロ波リセスゲート型静電誘導トランジスタ(SIT)を...

シソーラス用語： *接合形FET ,...

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分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： 利得 ,  高電圧 ,  CW ,  Si ,  ゲート ,  SIT