β-LiGaO<sub>2</sub>基板上の単結晶GaN薄膜の有機金属化学蒸着

KUNG P; SAXLER A; ZHANG X; WALKER D; LAVADO R; RAZEGHI M

文献

J-GLOBAL ID：200902105512840580 整理番号：96A0898781

β-LiGaO₂基板上の単結晶GaN薄膜の有機金属化学蒸着

Metalorganic chemical vapor deposition of monocrystalline GaN thin films on β-LiGaO₂ substrates.

出版者サイト複写サービスで全文入手 {{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=96A0898781&COPY=1") }}
高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=96A0898781&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=H0613A") }}

著者 (6件)： , , , , ,
資料名：
巻： 69 号： 14 ページ： 2116-2118 発行年： 1996年09月30日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

標記薄膜の成長とキャラクタリゼーションについて報告した。結晶...

,...

続きはJDreamIII（有料）にて {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=96A0898781&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=H0613A") }}

半導体薄膜

, , ,

前のページに戻る

β-LiGaO2基板上の単結晶GaN薄膜の有機金属化学蒸着

β-LiGaO₂基板上の単結晶GaN薄膜の有機金属化学蒸着