文献

J-GLOBAL ID：200902105527114304   整理番号：97A0320369

最密堆積InAs自己集合量子ドット構造の狭い光ルミネセンス線幅

Narrow Photoluminescence Line Width of Closely Stacked InAs Self-Assembled Quantum Dot Structures.

著者 (6件)： SUGIYAMA Y (Fujitsu Ltd., Atsugi, JPN) ,  NAKATA Y (Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi, JPN) ,  FUTATSUGI T (Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi, JPN) ,  SUGAWARA M (Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi, JPN) ,  AWANO Y (Fujitsu Ltd., Atsugi, JPN) ,  YOKOYAMA N (Fujitsu Ltd., Atsugi, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 36  号： 2A  ページ： L158-L161  発行年： 1997年02月01日 
JST資料番号： F0599B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 積層したInAs自己集合量子ドット(QD)構造における中間層...

シソーラス用語： *ヒ化インジウム ,...

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分類 (1件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S)

引用文献 (22件)：

• 1) U. Bockelmann and G. Bastard: Phys. Rev. B 42 (1990) 8947
• 2) H. Benisty, C. M. Sottomayor-Torres and C. Weisbuch: Phys. Rev. B 44 (1991) 10945
• 3) T. Inoshita and H. Sakaki: Phys. Rev. B 46 (1992) 7260
• 4) Y. Arakawa and H. Sakaki: Appl. Phys. Lett. 40 (1982) 939
• 5) K. Yano, T. Ishii, T. Hashimoto, T. Kobayashi, F. Murai and K. Seki: IEEE Trans. Electron Devices 41 (1994) 1628.

タイトルに関連する用語 (6件)： 堆積 ,  InAs ,  自己集合 ,  量子ドット ,  光ルミネセンス ,  線幅