単結晶イットリウム安定化ジルコニア基板上のすずドープインジウム酸化膜のヘテロエピタクキシャル成長

KAMEI M; YAGAMI T; TAKAKI S; SHIGESATO Y

文献

J-GLOBAL ID：200902105602336393 整理番号：94A0522332

単結晶イットリウム安定化ジルコニア基板上のすずドープインジウム酸化膜のヘテロエピタクキシャル成長

Heteroepitaxial growth of tin-doped indium oxide films on single crystalline yttria stabilized zirconia substrates.

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資料名：
巻： 64 号： 20 ページ： 2712-2714 発行年： 1994年05月16日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

標記の基板(YSZ)の上にヘテロエピタクキシャル膜(ITO)...

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半導体薄膜

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