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J-GLOBAL ID：200902105719023981   整理番号：97A0104742

障壁δドーピングがある量子井戸Ge_0.3Si_0.7/Si/Ge_0.3Si_0.7におけるサブバンド間吸収係数

Intersubband absorption coefficients in a quantum well Ge_0.3Si_0.7/Si/Ge_0.3Si_0.7 with barrier-δ-doping.

著者 (1件)： XU Z-Z (Fudan Univ., Shanghai)
資料名： Wuli Xuebao  (Wuli Xuebao)
巻： 45  号： 10  ページ： 1762-1770  発行年： 1996年10月 
JST資料番号： B0628A  ISSN： 1000-3290  CODEN： WLHPA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： Ge_0.3Si_0.7(001)上に成長させた,δドープ障壁があるGe_0.3Si_0.7/Si/Ge_0.3Si_0.7量子井戸の電子構造とサブバンド間吸収係数を,エンベロープ関数法で計算した。吸収率の井戸幅,δドーピング位置そしてδドーピング濃度への依存性を論じた。高密度の2次元電子の脱分極効果によって起こる周波数シフトを研究した

シソーラス用語： ケイ素合金 ,  ゲルマニウム含有合金 ,  固溶体 ,  半導体 ,  ケイ素 ,  量子井戸 ,  δドーピング ,  不純物分布 ,  二次元電子ガス ,  バンド構造 ,  赤外吸収スペクトル ,  電子遷移 ,  エンベロープ ,  光吸収

分類 (1件)： 半導体の赤外スペクトル及びRaman散乱・Ramanスペクトル  (BM08066B)

タイトルに関連する用語 (6件)： 障壁 ,  ドーピング ,  量子井戸 ,  Si ,  サブバンド間吸収 ,  係数