高イオン密度のArとSF<sub>6</sub>プラズマに曝したAlGaAsとInGaPの損傷研究

LEE J W; LEE K N; STRADTMANN R R; ABERNATHY C R; PEARTON S J; HOBSON W S; REN F

文献

J-GLOBAL ID：200902105747955059 整理番号：97A0742866

高イオン密度のArとSF₆プラズマに曝したAlGaAsとInGaPの損傷研究

Damage investigation in AlGaAs and InGaP exposed to high ion density Ar and SF₆ plasmas.

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資料名：
巻： 15 号： 3 Pt 1 ページ： 890-893 発行年： 1997年05月
JST資料番号： C0789B ISSN： 0734-2101 CODEN： JVTAD6 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

容量電圧測定,光ルミネセンス及びシート抵抗測定を用いて標記プ...

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半導体の放射線による構造と物性の変化 , 固体デバイス製造技術一般

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高イオン密度のArとSF6プラズマに曝したAlGaAsとInGaPの損傷研究

高イオン密度のArとSF₆プラズマに曝したAlGaAsとInGaPの損傷研究