自己集合InAs量子ドットにおける電子と正孔の蓄積

BOEDEFELD M C; WARBURTON R J; KARRAI K; KOTTHAUS J P; MEDEIROS-RIBEIRO G; PETROFF P M

文献

J-GLOBAL ID：200902105765445670 整理番号：99A0443915

自己集合InAs量子ドットにおける電子と正孔の蓄積

Storage of electrons and holes in self-assembled InAs quantum dots.

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資料名：
巻： 74 号： 13 ページ： 1839-1841 発行年： 1999年03月29日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

電荷によって調節できる量子ドットの分光測定と電気的測定を行っ...

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13-15族化合物を含む半導体-半導体接合

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