GASKA R について
Rensselaer Polytechnic Inst., New York について
BYKHOVSKI A D について
Rensselaer Polytechnic Inst., New York について
SHUR M S について
Rensselaer Polytechnic Inst., New York について
KAMINSKII V V について
A.F. Ioffe Inst. Physics and Technol., Russian acad. Sci., St. Petersburg, RUS について
SOLOVIOV S M について
A.F. Ioffe Inst. Physics and Technol., Russian acad. Sci., St. Petersburg, RUS について
Journal of Applied Physics について
圧抵抗効果 について
ゲージファクタ について
13-15族化合物を含む半導体-半導体接合 について
半導体薄膜 について
AlN について
GaN について
近距離 について
超格子構造 について
圧抵抗効果 について