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J-GLOBAL ID：200902106813486240   整理番号：01A0117385

ゲート誘電体用のランタンとイットリウムをベースにした酸化物薄膜の原子ビーム堆積

Atomic beam deposition of lanthanum- and yttrium-based oxide thin films for gate dielectrics.

著者 (5件)： GUHA S (IBM T.J. Watson Res. Center, New York) ,  CARTIER E (IBM T.J. Watson Res. Center, New York) ,  GRIBELYUK M A (IBM T.J. Watson Res. Center, New York) ,  BOJARCZUK N A (IBM T.J. Watson Res. Center, New York) ,  COPEL M C (IBM T.J. Watson Res. Center, New York)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 77  号： 17  ページ： 2710-2712  発行年： 2000年10月23日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Si-CMOS技術におけるゲート誘電体としての有用性を検討す...

シソーラス用語： 原子ビーム ,...

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分類 (2件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (6件)： ゲート誘電体 ,  ランタン ,  イットリウム ,  酸化物薄膜 ,  原子ビーム ,  堆積