金属ほう化物及びドープβ-ほう素の計算状態密度に基ずくほう素基のn-型熱電変換材料の審査

IMAI Y; MUKAIDA M; UEDA M; WATANABE A

文献

J-GLOBAL ID：200902106926773539 整理番号：01A0914295

金属ほう化物及びドープβ-ほう素の計算状態密度に基ずくほう素基のn-型熱電変換材料の審査

Screening of the possible boron-based n-type thermoelectric conversion materials on the basis of the calculated densities of states of metal borides and doped β-boron.

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資料名：
巻： 9 号： 8 ページ： 721-734 発行年： 2001年08月
JST資料番号： W0672A ISSN： 0966-9795 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

ほう化物基熱電変換候補材料の開発のため,β-三方晶ほう素(β...

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半導体結晶の電子構造 , 半導体結晶の電気伝導

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