結晶品位の高い不整合InGaAs/InPおよびInAlAs/InPヘテロ構造

BENNETT B R; DEL ALAMO J A

文献

J-GLOBAL ID：200902106984789208 整理番号：93A0421207

結晶品位の高い不整合InGaAs/InPおよびInAlAs/InPヘテロ構造

Mismatched InGaAs/InP and InAlAs/InP heterostructures with high crystalline quality.

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巻： 73 号： 7 ページ： 3195-3202 発行年： 1993年04月01日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

MBEでInP上に標題のエピ層を成長させて高分解能X線回折で...

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半導体薄膜 , 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合

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