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J-GLOBAL ID：200902106990445219   整理番号：02A0659775

X線吸収分光法によるGa_1-xMn_xAsのマンガン濃度及び低温アニーリング依存性

Manganese concentration and low-temperature annealing dependence of Ga_1-xMn_xAs by x-ray absorption spectroscopy.

著者 (9件)： ISHIWATA Y (Univ. Tokyo, Chiba, JPN) ,  WATANABE M (RIKEN, Hyogo, JPN) ,  TAKEUCHI T (Tokyo Univ. Sci., Tokyo, JPN) ,  HARADA Y (RIKEN, Hyogo, JPN) ,  CHAINANI A (Univ. Tokyo, Chiba, JPN) ,  SHIN S (Univ. Tokyo, Chiba, JPN) ,  HAYASHI T (Univ. Tokyo, Chiba, JPN) ,  KATSUMOTO S (Univ. Tokyo, Chiba, JPN) ,  IYE Y (Univ. Tokyo, Chiba, JPN)
資料名： Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics  (Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics)
巻： 65  号： 23  ページ： 233201.1-233201.4  発行年： 2002年06月15日 
JST資料番号： D0746A  ISSN： 1098-0121  CODEN： PRBMDO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 希薄磁性半導体Ga_1-xMn<sub>...

シソーラス用語： ガリウム化合物 ,...

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分類 (2件)： X線スペクトル一般  (BM08101P) ,  不純物・欠陥の電子構造  (BM02100I)

タイトルに関連する用語 (5件)： X線吸収分光法 ,  マンガン ,  低温 ,  アニーリング ,  依存性