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J-GLOBAL ID：200902107185658067   整理番号：01A0743464

化学溶液析出を用いてSrRuO₃/SrTiO₃基板上でのPbZr_0.5Ti_0.5O₃薄膜のエピタキシャル成長 微細構造と強誘電特性

Epitaxial growth of PbZr_0.5Ti_0.5O₃ thin films on SrRuO₃/SrTiO₃ substrates using chemical solution deposition: Microstructural and ferroelectric properties.

著者 (4件)： KIM J H (Chonnam National Univ., Kwangju, KOR) ,  KIM Y (Chonnam National Univ., Kwangju, KOR) ,  CHIEN A T (Univ. California, California) ,  LANGE F F (Univ. California, California)
資料名： Journal of Materials Research  (Journal of Materials Research)
巻： 16  号： 6  ページ： 1739-1744  発行年： 2001年06月 
JST資料番号： D0987B  ISSN： 0884-2914  CODEN： JMREEE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 標記方法により(100)SrTiO₃基...

シソーラス用語： *薄膜 ,...
準シソーラス用語： *PZT【鉛化合物】

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分類 (2件)： セラミック・磁器の性質  (YC03030G) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (5件)： 化学溶液析出 ,  薄膜 ,  エピタキシャル成長 ,  微細構造 ,  強誘電特性