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J-GLOBAL ID：200902107222828784   整理番号：02A0329804

単結晶Si/SiGe超格子ナノワイヤーのブロックごとの成長

Block-by-Block Growth of Single-Crystalline Si/SiGe Superlattice Nanowires.

著者 (3件)： WU Y (Univ. California, California) ,  FAN R (Univ. California, California) ,  YANG P (Univ. California, California)
資料名： Nano Letters  (Nano Letters)
巻： 2  号： 2  ページ： 83-86  発行年： 2002年02月 
JST資料番号： W1332A  ISSN： 1530-6984  CODEN： NALEFD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ヘテロ接合と超格子の形成はナノスケール光エレクトロニクスにお...

シソーラス用語： *人工超格子 ,...

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分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (5件)： 単結晶Si ,  SiGe ,  超格子 ,  ナノワイヤー ,  成長