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J-GLOBAL ID：200902107342634860   整理番号：95A0028876

臭化水素プラズマを用いた窒化ガリウムの反応性イオンエッチング

Reactive ion etching of gallium nitride using hydrogen bromide plasmas.

著者 (4件)： PING A T (Univ. Illinois, IL, USA) ,  ADESIDA I (Univ. Illinois, IL, USA) ,  ASIF KHAN M (APA Optics, Inc., MN, USA) ,  KUZNIA J N (APA Optics, Inc., MN, USA)
資料名： Electronics Letters  (Electronics Letters)
巻： 30  号： 22  ページ： 1895-1897  発行年： 1994年10月27日 
JST資料番号： A0887A  ISSN： 0013-5194  CODEN： ELLEAK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： HBr,1:1 HBr:Ar,および1:1 HBr:H<su...

シソーラス用語： RIE【エッチング】 ,...
準シソーラス用語： 圧力依存性

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分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (4件)： 臭化水素 ,  プラズマ ,  窒化ガリウム ,  反応性イオンエッチング