p型6H-SiCへの接触抵抗測定

CROFTON J; BARNES P A; WILLIAMS J R; EDMOND J A

文献

J-GLOBAL ID：200902107609384973 整理番号：93A0223240

p型6H-SiCへの接触抵抗測定

Contact resistance measurements on p-type 6H-SiC.

出版者サイト複写サービスで全文入手 {{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=93A0223240&COPY=1") }}
高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=93A0223240&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=H0613A") }}

著者 (4件)： , , ,
資料名：
巻： 62 号： 4 ページ： 384-386 発行年： 1993年01月25日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

エピタキシャルp型6H-SiCへのAl-Ti Ohm接触のエ...

,...

続きはJDreamIII（有料）にて {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=93A0223240&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=H0613A") }}

半導体-金属接触

前のページに戻る