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J-GLOBAL ID：200902107647115927   整理番号：94A0756439

特集 半導体デバイスにおけるコンタクト材料 SiC半導体のコンタクト材料

Development of Contact Materials for Semiconductor Devices. Contact Materials of SiC Semiconductor.

著者 (1件)： 鈴木彰 (シャープ 中研)
資料名： まてりあ  (Materia Japan)
巻： 33  号： 6  ページ： 725-731  発行年： 1994年06月 
JST資料番号： F0163A  ISSN： 1340-2625  CODEN： MTERE2  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： n型,P型のオーミック電極として,それぞれNi,Ti/Alな...

シソーラス用語： 炭化ケイ素 ,...

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分類 (1件)： 固体デバイス材料  (NC03020K)

引用文献 (35件)：

• (1) in Amorphous and Crystalline Silicon Carbide, Ed. by G. L.Harris and C. Y.-W. Yang, Springer-Verlag, Berlin,(1989).
• (2) in Amorphous and Crystalline Silicon Carbide II, Ed. by M. M. Rahman, C. Y.-W. Yang and G. L. Harris, Springer-Verlag, Berlin,(1989).
• (3) in Amorphous and Crystalline Silicon Carbide III, Ed. by G. L. Harris, M. G. Spencer and C. Y.-W. Yang, Springer-Verlag, Berlin,(1992).
• (4) in Amorphous and Crystalline Silicon Carbide IV, Ed. by C. Y.-W. Yang, M. M. Rahman and G. L. Harris, Springer-Verlag, Berlin,(1992).
• (5) in Abst. Int. Conf. on Silicon Carbide and Related Materials-1993, Washington, D. C., 1993.

タイトルに関連する用語 (3件)： 半導体デバイス ,  コンタクト ,  SiC