文献

J-GLOBAL ID：200902107741074770   整理番号：98A0793916

転位密度の低いGaN基板によるGaN系LD構造のpn接合特性の高精度制御

Precise control of pn-junction profiles for GaN-based LD structures using GaN substrates with low dislocation densities.

著者 (5件)： KURODA N (NEC Corp., Ibaraki, JPN) ,  SASAOKA C (NEC Corp., Ibaraki, JPN) ,  KIMURA A (NEC Corp., Ibaraki, JPN) ,  USUI A (NEC Corp., Ibaraki, JPN) ,  MOCHIZUKI Y (NEC Corp., Ibaraki, JPN)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 189/190  ページ： 551-555  発行年： 1998年06月 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (4件)： 転位密度 ,  GaN ,  LD ,  PN接合