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J-GLOBAL ID：200902107854163184   整理番号：93A0610091

ステップ制御エピタキシーによる4H-SiC成長層の評価

Characterization of 4H-SiC Grown by Step-Controlled Epitaxy.

著者 (4件)： 伊藤明 (京大 工) ,  秋田浩伸 (京大 工) ,  木本恒暢 (京大 工) ,  松波弘之 (京大 工)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 40th  号： Pt 1  ページ： 196  発行年： 1993年03月 
JST資料番号： Y0054A  資料種別： 会議録 (C)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

タイトルに関連する用語 (4件)： エピタキシー ,  4H-SiC ,  成長 ,  評価