横方向にエピタキシャルに上層を成長させたGaN基板上に成長させた変調ドープ歪層を持つInGaN/GaN/AlGaN構造のレーザダイオード

NAKAMURA S; SENOH M; NAGAHAMA S; IWASA N; YAMADA T; MATSUSHITA T; KIYOKU H; SUGIMOTO Y; CHOCHO K

文献

J-GLOBAL ID：200902107902966766 整理番号：98A0198261

横方向にエピタキシャルに上層を成長させたGaN基板上に成長させた変調ドープ歪層を持つInGaN/GaN/AlGaN構造のレーザダイオード

InGaN/GaN/AlGaN-based laser diodes with modulation-doped strained-layer superlattices grown on an epitaxially laterally overgrown GaN substrate.

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資料名：
巻： 72 号： 2 ページ： 211-213 発行年： 1998年01月12日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

横方向にエピタキシャル上層成長させたGaN(ELOG)基板上...

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半導体レーザ

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