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J-GLOBAL ID:200902107902966766   整理番号:98A0198261

横方向にエピタキシャルに上層を成長させたGaN基板上に成長させた変調ドープ歪層を持つInGaN/GaN/AlGaN構造のレーザダイオード

InGaN/GaN/AlGaN-based laser diodes with modulation-doped strained-layer superlattices grown on an epitaxially laterally overgrown GaN substrate.
著者 (9件):
資料名:
巻: 72  号:ページ: 211-213  発行年: 1998年01月12日 
JST資料番号: H0613A  ISSN: 0003-6951  CODEN: APPLAB  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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分類 (1件):
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半導体レーザ 

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