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文献
J-GLOBAL ID:200902107907290388   整理番号:96A0967392

GSMBE成長によるInGaP/GaAsヘテロ界面形成の初期過程

Initial stages of InGaP/GaAs hetero-interface formation by gas source MBE.
著者 (5件):
資料名:
巻: 57th  号:ページ: 174  発行年: 1996年09月 
JST資料番号: Y0055A  資料種別: 会議録 (C)
発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)

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