文献
J-GLOBAL ID：200902108109178621   整理番号：96A0656200

SiC結晶成長における最近の進展

Recent progress in SiC crystal growth.
著者 (4件)：
TSVETKOV V F

TSVETKOV V F について

(Cree Res., Inc., NC, USA)

Cree Res., Inc., NC, USA について

, 
ALLEN S T

ALLEN S T について

(Cree Res., Inc., NC, USA)

Cree Res., Inc., NC, USA について

, 
KONG H S

KONG H S について

(Cree Res., Inc., NC, USA)

Cree Res., Inc., NC, USA について

, 
CARTER C H JR

CARTER C H JR について

(Cree Res., Inc., NC, USA)

Cree Res., Inc., NC, USA について


資料名：
Institute of Physics Conference Series  (Institute of Physics Conference Series)

Institute of Physics Conference Series について


号： 142  ページ： 17-22  発行年： 1996年 
JST資料番号： E0403B  ISSN： 0305-2346  CODEN： IPHSAC  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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比較的大型(30mm)のSiCウエハが市販されるようになった...
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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炭化ケイ素

炭化ケイ素 について

,...
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分類 (2件)：
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
半導体の結晶成長 
(BK13040X)

半導体の結晶成長 について

,  半導体薄膜 
(BK14040E)

半導体薄膜 について

タイトルに関連する用語 (3件)：
タイトルに関連する用語
J-GLOBALで独自に切り出した文献タイトルの用語をもとにしたキーワードです
SiC

SiC について

, 
結晶成長

結晶成長 について

, 
進展

進展 について


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