文献

J-GLOBAL ID：200902108346241150   整理番号：96A0711686

(Ga,Mn)As GaAsベースの新しい希釈磁性半導体

(Ga, Mn) As: A new diluted magnetic semiconductor based on GaAs.

著者 (7件)： OHNO H (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  SHEN A (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  MATSUKURA F (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  OIWA A (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  ENDO A (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  KATSUMOTO S (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  IYE Y (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 69  号： 3  ページ： 363-365  発行年： 1996年07月15日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 新しい希釈磁性半導体の(Ga,Mn)As薄膜を(001)Ga...

シソーラス用語： ヒ化ガリウム ,...
準シソーラス用語： Curie点 ,...

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=96A0711686&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=H0613A") }}

分類 (3件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X) ,  その他の無機化合物の磁性  (BM06060P)

タイトルに関連する用語 (4件)： Ga ,  Mn ,  GaAs ,  希釈磁性半導体